Memória DRAM da Samsung com 10 nm é 30% mais veloz

9 de Abril de 2016
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D-RAM-Group_Samsung

As memórias RAM acabam de se tornar mais rápidas com o novo chip que a Samsung anunciou hoje. Com 10-nanómetros e 8-gigabit DRAM os novos chips prometem velocidades superiores em 30% e mais 20% de eficiência.

Os novos chips de memória utilizam uma técnica de fabrico de menor dimensão, metade do que era comercializado pela Samsung desde 2014. Esta compacidade do design permite criar chips de memória com novas funcionalidades permitindo adicionar mais ao mesmo espaço.

As melhorias na velocidade e na eficiência saltam à vista: taxas de transferência na ordem dos 3200 megabits por segundo (30 % mais rápido do que os anteriores 2400Mbps) utilizando entre 10 a 20% menos de energia.

Estes novos módulos de memórias RAM com 8-gigabit serão destinados a equipar computadores portáteisem blocos a partir dos 4GB de capacidade. A gama destinada aos servidores conta com slots até 128GB. De fora ficam por enquanto os smartphones.

Fonte: Samsung

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