O governo dos Estados Unidos parece estar confiante de que as sanções que tem vindo a impor para evitar que a China produza ou compre circuitos integrados de vanguarda estão a ter o efeito desejado. Esta posição foi defendida oficialmente pelo Departamento de Comércio, através de Gina Raimondo, a Secretária de Comércio e uma das figuras mais proeminentes na administração norte-americana no contexto do conflito entre a China e os EUA.
O mundo da tecnologia foi abalado com a revelação do SoC do smartphone Mate 60 Pro, um chip Kirin 9000S fabricado pela SMIC em colaboração com a Huawei, utilizando um processo fotolitográfico de 7 nm. Esta notícia alarmou o governo dos EUA, pois, se fosse verdade, significaria que a China teria a tecnologia necessária para fabricar os seus próprios chips de vanguarda.
Após várias semanas de investigação, a informação revelada pela TechInsights foi confirmada: os engenheiros da SMIC e da Huawei conseguiram aperfeiçoar os equipamentos de litografia de ultravioleta profundo (UVP) fabricados pela empresa neerlandesa ASML, que possuíam, para produzir chips de 7 nm. Teoricamente, poderiam até utilizar a mesma técnica para fabricar circuitos integrados de 5 nm. No entanto, esta tecnologia provavelmente não é tão eficaz quanto o marco da SMIC sugere.
Os EUA suspeitam que a tecnologia que a SMIC está a utilizar impõe restrições. Assim que se soube que a SMIC e a Huawei conseguiram fabricar circuitos integrados de 7 nm utilizando equipamentos de litografia UVP, alguns especialistas levantaram a hipótese de que o rendimento por oblea que a SMIC supostamente alcançou não seria suficiente para garantir a produção em larga escala destes chips de vanguarda. Esta é, precisamente, a posição defendida actualmente pelo Departamento de Comércio dos EUA.
Fabricar chips de 7 nm é muito complexo. É provável que os engenheiros da SMIC tenham recorrido a uma técnica de litografia conhecida como ‘multiple patterning’, que consiste em transferir o padrão para conseguir o objectivo de aumentar a resolução do processo litográfico. Para chegar aos 5 nm, poderão ter de utilizar um ‘multi patterning’ ainda mais sofisticado, com até três ou quatro passadas.
Se as suspeitas dos EUA estiverem corretas, com as ferramentas que a SMIC tem actualmente à sua disposição, provavelmente não conseguirá produzir em massa circuitos integrados de 7 e 5 nm. Para os EUA, esta limitação da tecnologia que a SMIC provavelmente está a utilizar representa um alívio, mas é razoável assumir que mais cedo ou mais tarde a China desenvolverá os seus próprios equipamentos de litografia de ultravioleta profundo e ultravioleta extremo (UVE).
A minha opinião é que, embora os EUA possam estar à frente no momento, a China está a investir fortemente na sua capacidade de produção de chips e é apenas uma questão de tempo até que alcance ou até mesmo ultrapasse os EUA nesta área crítica da tecnologia.
Fonte: Bloomberg
