A Samsung Electronics anunciou que começou a produzir em massa o primeiro Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 incorporado no primeiro terabyte (TB) da indústria, para utilização em aplicações móveis da próxima geração.
Apenas quatro anos após a introdução da primeira solução UFS, o eUFS de 128 gigabytes (GB), a Samsung ultrapassou o tão esperado limite de terabytes no armazenamento de smartphones. Em breve, os entusiastas dos smartphones poderão aproveitar a capacidade de armazenamento comparável a um notebook de alta qualidade, sem ter que emparelhar seus telefones com cartões de memória adicionais.
“Espera-se que o eUFS de 1TB desempenhe um papel fundamental em trazer uma experiência de utilizador mais parecida com um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis”, disse Cheol Choi, vice-presidente executivo de Vendas e Marketing de Memória da Samsung Electronics. “Além disso, a Samsung está comprometida em garantir a cadeia de fornecimento mais confiável e quantidades de produção adequadas para suportar os lançamentos oportunos dos futuros smartphones topos de gama na aceleração do crescimento do mercado móvel global”.
Dentro do mesmo tamanho de pacote (11,5 mm x 13,0 mm), a solução eUFS de 1TB duplica a capacidade da versão anterior de 512GB combinando 16 camadas empilhadas da mais avançada memória flash V-NAND de 512Gb da Samsung e uma recém-desenvolvida tecnologia proprietária. Os utilizadores de smartphones agora poderão armazenar 260 vídeos de 10 minutos no formato 4K UHD (3840 × 2160), enquanto os 64GB eUFS amplamente usados em muitos smartphones atuais de alta capacidade são capazes de armazenar 13 vídeos do mesmo tamanho.
O eUFS de 1TB também possui velocidade excepcional, permitindo aos utilizadores transferir grandes quantidades de conteúdo multimédia em tempo significativamente reduzido. Com até 1.000 megabytes por segundo (MB / s), o novo eUFS possui aproximadamente o dobro da velocidade de leitura sequencial de um SSD (Unidade de Estado Sólido) SATA de 2,5 polegadas. Isso significa que vídeos Full HD de 5 GB podem ser descarregados em um SSD NVMe em apenas cinco segundos, o que representa 10 vezes a velocidade de um cartão microSD típico.
Além disso, a velocidade de leitura aumentou em até 38% em relação à versão de 512 GB, atingindo até 58.000 IOPS. As gravações são 500 vezes mais rápidas do que um cartão microSD de alto desempenho (100 IOPS), chegando a até 50.000 IOPS. As velocidades permitem disparos contínuos de alta velocidade a 960 quadros por segundo e permitem que os utilizadores de smartphones aproveitem ao máximo os recursos de várias câmaras dos modelos atuais e futuros dispositivos.
A Samsung planeia expandir a produção de sua quinta geração de 512 Gb V-NAND em sua fábrica de Pyeongtaek, na Coreia, durante o primeiro semestre de 2019, para atender plenamente à procura forte esperada pela eUFS de fabricantes de dispositivos móveis em todo o mundo.
Como é óbvio, não foi referido, mas muito provavelmente o primeiro smartphone com 1TB de capacidade será o Samsung Galaxy S10, que será apresentado no dia 20 de fevereiro nos EUA.
